Az ultra-alacsony ellenállást, a kiváló hőteljesítményt és az ipari szabványos csomagolást kínáló tranzisztorok a zökkenőmentes GaN-integrációhoz az energiaszámokban.

Az Infineon Technologies AG új ipari referenciaértéket állít be a Coolgan G3 Transistor 100 V elindításával az RQFN 5 × 6 csomagban (IGD015S10S1) és 80 V -os RQFN 3,3 × 3,3 csomagban (IgE033S08S1).Ezek az új eszközök a szabványosított GaN csomagolás hiányával foglalkoznak, lehetővé téve az ügyfelek számára, hogy részesüljenek a több forrásból származó lehetőségekből és a szilícium-alapú mintákkal való zökkenőmentes integrációból.

Ezek a kompakt, nagyteljesítményű tranzisztorok lehetővé teszik az alacsony ellenállású kapcsolatokat és a csökkentett parazitikát, biztosítva az optimalizált hatékonyságot és a nagy teljesítményű kimenetet az ismerős ipari szabványos lábnyomokban. A legfontosabb funkciók a következők:

100 V Coolgan G3 tranzisztor: 5 × 6 RQFN csomag, ultra-alacsony on-rezisztencia 1,1 MΩ
80 V Coolgan G3 Tranzisztor: 3,3 × 3,3 RQFN csomag, ellenállás 2,3 MΩ
A fejlett csomag kialakítása javítja a termikus teljesítményt.A jobb hővezetőképesség és az optimalizált hőeloszlás, amelyet egy nagyobb kitett felület és a nagyobb rézsűrűség megkönnyít, hozzájárul a kiváló hőkezelő robusztussághoz.Azáltal, hogy a GAN tranzisztorokat a szokásos szilícium-MOSFET csomagokkal igazítják, az Infineon egyszerűsíti a GAN-elfogadást, megkönnyítve az energiatervezők számára az élvonalbeli hatékonyságot az Datacom, a fogyasztói és az ipari energiaalkalmazásokban.

Az IGE033S08S1 és IGD015S10S1 mintái az RQFN csomagokban 2025 áprilisában lesznek elérhetők. „Az új tranzisztorok megfelelnek az iparági igényeknek a szabványosított lábnyom iránti igényekkel, biztosítva a könnyebb kezelést és a gyorsabb piacot.”-mondta Dr. Antoine Jalabert, a termékcsalád középső részén a középső középső részén, a termékcsalád fejjel a középső középső részén, a termékcsalád fejjel a középső részén.-Voltás GaN az Infineon -nál.